軍事用途のレーダーと通信システムの改良のために 超幅帯域の半導体を開発しています Raytheon, a DARPA contractor, is developing ultra-wide bandgap semiconductors for improved radar and communication systems in military applications.

RTXの子会社であるレイセオンは、DARPAからダイヤモンドと窒化アルミニウムを使用した超ワイドバンドギャップ半導体を開発する3年間の契約を結んでいます。 Raytheon, a subsidiary of RTX, has received a three-year contract from DARPA to develop ultra-wide bandgap semiconductors using diamond and aluminum nitride. このプロジェクトは,センサーと電子機器の電力供給と熱管理を向上させることを目的としています. This project aims to enhance power delivery and thermal management for sensors and electronic devices. これには、1つ目は半導体フィルムを作成するフェーズ、次により大きなウェーハに最適化するフェーズの2つのフェーズがあります。 It includes two phases: first, creating semiconductor films, and second, optimizing them for larger wafers. 目的は高度な軍事用途のための レーダーと通信システムの改善です The goal is to improve radar and communication systems for advanced military applications.