半導体性能を向上させるための300mm GaN基板を開発する. Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

シン・エツウ化学株式会社は,300mmガリウム窒化物 (GaN) 適用のために設計されたQSTTM基板を開発する予定です. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. このイノベーションは半導体デバイスの性能と効率を向上させることを目的としており,半導体分野における技術の進歩に対する同社のコミットメントを反映しています. This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.