サムスンとAMDは,高度なAIメモリを開発しており,HBM4が量産され,NVIDIAのAIプラットフォームをターゲットとした HBM4E が開発されている. Samsung and AMD are co-developing advanced AI memory, with HBM4 in mass production and HBM4E targeting NVIDIA’s AI platform.

サムスンとAMDは,次世代AIメモリの開発に提携を拡大し,HBM4を含むAMDのMI455X GPUおよびEPYC CPUのための先進的なDDR5,そして現在大量生産されているHBM4,最大13Gbpsの速度と3.3TB/s帯域幅を提供している. Samsung and AMD have expanded their partnership to co-develop next-generation AI memory, including HBM4 for AMD’s MI455X GPU and advanced DDR5 for EPYC CPUs, with HBM4 now in mass production offering up to 13 Gbps speeds and 3.3 TB/s bandwidth. サムスンはまた,NVIDIAのVera Rubin AIプラットフォームのために設計された16 Gbpsと4.0 TB/s帯域幅をターゲットとしたHBM4Eを発表しました. Samsung also unveiled HBM4E targeting 16 Gbps and 4.0 TB/s bandwidth, designed for NVIDIA’s Vera Rubin AI platform. 企業は鋳造工場のコラボレーションを探求し,AIワークロードのための完全なコンピューティングスタックを最適化する予定です. The companies plan to explore foundry collaborations and optimize the full computing stack for AI workloads. サムスンは,デバイス内AIとパーソナルAIスーパーコンピューティングを目的としたLPDDR6 DRAMおよびPM9E3/PM9 E1 NANDを含む新しいメモリおよびストレージ技術を示し,同時にAI駆動のデジタルツインを通じて製造を促進した. Samsung showcased new memory and storage technologies, including LPDDR6 DRAM and PM9E3/PM9E1 NAND, aimed at on-device AI and personal AI supercomputing, while advancing manufacturing through AI-driven digital twins.