パラライトは,データセンターと産業用用に熱安定性と効率性を向上した新しいSiC MOSFETを投入しています. Para Light launches new SiC MOSFETs with improved thermal stability and efficiency for data centers and industrial use.

パラライトは, -25°Cから+125°Cまでの安定したオン抵抗を持つ突破的な熱性能を主張する ThermaFlat SiC MOSFET を発売しました. Para Light has launched its ThermaFlat SiC MOSFETs, claiming breakthrough thermal performance with stable on-resistance from -25°C to +125°C. 650Vと1200Vのモデルは,最小限の抵抗増加を示し,冷却需要を削減して効率性を向上させます. The 650V and 1200V models show minimal resistance increase, reducing cooling needs and boosting efficiency. TO-247-4のパッケージに ケルビンソースピンを使用すると,スイッチング損失を最大35%削減しました. Using a Kelvin source pin in a TO-247-4 package, they cut switching losses by up to 35%. データセンターの電源,産業用ドライブおよびUPSシステムにターゲットとして開発されたこの新型デバイスは,SiC MOSFET市場へのPara Light®の参入を象徴し,パワーエレクトロニクスの信頼性と効率性に関する新しい基準を設定することを目指しています. Targeted at data center power supplies, industrial drives, and UPS systems, the new devices mark Para Light’s entry into the SiC MOSFET market, aiming to set a new standard for power electronics reliability and efficiency.