中国は,米国の技術規制のなか,2030年までに先進的な石版画を開発する国家的な努力を求める. China urges national effort to develop advanced lithography by 2030 amid U.S. tech restrictions.

中国の半導体指導者は2030年までに高度なリトグラフィーシステムの開発を図る国家的努力を促している。 ASMLの国内代替品を創出するためだ。 Chinese semiconductor leaders are urging a unified national effort to develop advanced lithography systems by 2030, aiming to create a domestic alternative to ASML. また , 米国 の チップ 技術 に 関する 制限 , 中国 の 産業 に おける 分割 , EUV リトグラフィー , EDA ソフトウェア , 重要 な 材料 の ギャップ など が 重要 な 課題 と し て 挙げ られ て い ます。 They cite U.S. restrictions on chip tech, fragmentation in China’s industry, and gaps in EUV lithography, EDA software, and critical materials as key challenges. 個々 の 構成 要素 の 中 で は 進歩 が 見 られ て いる もの の , 統合 は 依然 と し て ハードル と なっ て い ます。 While progress has been made in individual components, integration remains a hurdle. この呼称は,中国が技術的自立を図り,研究の協調とR&Dプラットフォームを強調する政府の支援と一致している. The call aligns with China’s push for technological self-reliance, with government support emphasized for research coordination and R&D platforms.