TANAKA は , デリケート な 半導体 に 新しい 金 の バンパー を 開発 し , より 小型 で より 信頼 できる 電子 工学 を 可能 に し て い ます。 TANAKA develops new gold bump transfer tech for delicate semiconductors, enabling smaller, more reliable electronics.

田中貴金属技術はAuRoFUSE™プレフォームの新しい転送方法を開発し、複雑または繊細な半導体表面での正確な金バンプ形成を可能にします。 TANAKA Precious Metal Technologies has developed a new transfer method for its AuRoFUSE™ Preforms, enabling precise gold bump formation on complex or delicate semiconductor surfaces. このプロセスは,エッチングされた開口を持つシリコン転送基板に凸を生じさせ,処理中にそれらを固定し,熱誘発縮小を使用して,それらを150 °Cおよび10 MPaでの熱圧縮結合によって転送するために解放し,その後200 °Cおよび20 MPaでの最終結合を行う. The process creates bumps on a silicon transfer substrate with etched openings, secures them during processing, and uses heat-induced shrinkage to release them for transfer via thermocompression bonding at 150°C and 10 MPa, followed by final bonding at 200°C and 20 MPa. これは不規則なまたは敏感な基板に直接衝突し,フォトリホグラフィーの制限を克服し,スマートフォン,LED,自動車電子機器,MEMSに高密度統合に理想的な,強い,安定した,低変形結合を提供します. This overcomes limitations of direct bumping and photolithography on irregular or sensitive substrates, offering strong, stable, low-deformation bonds ideal for high-density integration in smartphones, LEDs, automotive electronics, and MEMS. この技術は,ソルダーショート回路とプレッティングの損傷を回避し,次世代の小型化された電子と光学統合をサポートします. The technology avoids soldering short circuits and plating damage, supporting next-generation miniaturized electronics and photonics integration.