中国の科学者は1nm-ferro電動材料を使って超効率のチップを作成し,デバイス上で高速で低パワーのAI処理を可能にした. Chinese scientists created a ultra-efficient chip using a 1-nm ferroelectric material, enabling fast, low-power AI processing on devices.

北京大学の中国人科学者は,新作のフェロー電化材料を使って高性能計算機を開発し,超高性能のユニバーサルフィルムを1ナノメートルの厚さで合成し,記憶力を維持した. Chinese scientists at Peking University have developed a high-performance computing-in-memory chip using a novel ferroelectric material, creating ultrathin, uniform films just 1 nanometer thick that maintain strong memory properties. このデバイスは 0.8ボルトで動作し、データは20ナノ秒で書き込み、150兆回以上の 書き換えサイクルを生き残ります。 The device operates at 0.8 volts, writes data in 20 nanoseconds, and survives over 1.5 trillion rewrite cycles—exceeding current standards. 一つ の 単位 に 記憶 と 処理 を 加える こと に よっ て , エネルギー の 使用 量 を 減少 さ せ , 計算 を 速め , 現在 の 半導 体 の 製造 に 適合 さ せ ます。 By integrating memory and processing in one unit, it reduces energy use and speeds up computation, with compatibility for existing semiconductor manufacturing. この科学誌に掲載されたこの発見は スマートフォンや家電などの日常的なデバイスに 強力なAI処理を可能にし クラウドコンピューティングへの依存を減らすことができます The breakthrough, published in Science, could enable powerful AI processing on everyday devices like smartphones and appliances, cutting reliance on cloud computing.