ROHMとオンセミは,EV,ソーラー,エネルギーシステムにおける効率の向上のため,新SCMOSFETSを打ち上げる. ROHM and onsemi launch new SiC MOSFETs for higher efficiency in EVs, solar, and energy systems.

ROHMは,TLLパッケージの SCT40xDL Calbide MOSFETの大量生産を開始し,標準より39%の熱性能を提供し,13mから65mmまで750Vの電圧評価及びオンザリングを実施した. ROHM has started mass production of its SCT40xxDLL silicon carbide MOSFETs in TOLL packages, offering 39% better thermal performance than standard TO-263-7L packages, with up to 750V voltage rating and on-resistances from 13mΩ to 65mΩ. AIサーバー,エネルギー貯蔵設備,ソーラーインバーターなどのコンパクトで高性能なアプリケーションを設計されたこのデバイスは26%の小さい足跡と2.3mmの高さを特徴とする. Designed for compact, high-power applications like AI servers, energy storage, and solar inverters, the devices feature a 26% smaller footprint and 2.3mm height. 2025年9月から発売されるディストリビューターで利用可能で、シミュレーションモデルも提供されている. Available through distributors starting September 2025, simulation models are also provided. 一方、オンセミは650Vと950V EYSEC MOSFEをT2PKトップカップに導入し,直撃熱で冷却を改善し,温度を軽減し,電気自動車,太陽光,エネルギー貯蔵設備の高密度化を図る。 Meanwhile, onsemi launched 650V and 950V ElieSiC MOSFETs in T2Pak top-cool packages, enabling direct heatsink coupling for improved cooling, reduced temperatures, and higher power density in electric vehicles, solar, and energy storage systems.