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インドはESTIC 2025で自国製の4インチSiCウェファーと150WGaNトランジスタを公開し,モディ首相は1億ルピーのR&D基金を立ち上げました.
インドのDRDOは,ニューデリーで開催されたESTIC 2025で,半導体製造の進展を紹介し,4インチシリコンカーバイドウエーバーと150Wガリウムナイトライドトランジスタの自国開発を強調しました.
"Viksit Bharat 2047"をテーマにしたこのイベントは, നരेंद्र モディ 首相が開幕し,民間部門のイノベーションを推進するための1億ルピーのR&D基金を立ち上げました.
科学 者 や 産業 界 の 指導 者 を 含む 3,000 人 余り の 参加 者 が , AI , 量子 科学 , 宇宙 技術 , 持続 可能 な エネルギー など の 進歩 に つい て 論じ合い まし た。
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India unveiled homegrown 4-inch SiC wafers and 150W GaN transistors at ESTIC 2025, with PM Modi launching a Rs 1 lakh crore R&D fund.