東芝は,工業用電力密度を高めるコンパクトで効率的な650VのSiC MOSFETを投入する. Toshiba launches compact, efficient 650V SiC MOSFETs, boosting power density for industrial uses.

Toshiba は、DFN8x8のパッケージに4つの新しい6506Vシリコンカーベイド(SiC) MOSFETSを導入し,古いモデルに比べてデバイスの音量を90%以上削減した. Toshiba has introduced four new 650V silicon carbide (SiC) MOSFETs in a compact DFN8x8 package, reducing device volume by over 90% compared to older models. これらのMOSFETは,電力供給や光熱発電など産業用に適しているため,損失の削減や電力密度の向上を著しいものにしている. These MOSFETs, suitable for industrial uses like power supplies and photovoltaic generators, significantly cut switching losses and improve power density. トシバ は , こう し た 進歩 に よっ て 設備 の 効率 と 動力 を 高める こと を 目標 に し て い ます。 Toshiba aims to enhance equipment efficiency and power capacity with these advancements.