中国 の 研究 者 たち は , フラッシュメモリー 技術 で ある ポX が 現在 の 選択 肢 の 1 万 倍 も 速い こと を 明らか に し て い ます。 Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

中国 の フダン 大学 の 研究 者 たち は , POX と 呼ば れる 新しい フラッシュメモリー 技術 を 開発 し まし た。 Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. 現在のフラッシュメモリより 約1万倍速いのです SRAMやDRAMなどの伝統的な不安定なメモリ型を著しく超えています This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. AIシステムや消費者エレクトロニクスの貯蔵ソリューションを革命的に実現させ,速やかな操作や電力消費の削減を図る可能性もある. The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.