ミシガン大学は,高熱耐熱シリコンカーバイド半導体開発に750万ドルを要するプロジェクトを指揮している. University of Michigan leads a $7.5 million project to develop advanced heat-resistant silicon carbide semiconductors.

ミシガン大学は,熱抵抗性シリコンカルビド(SiC)半導体(SiC)を開発するための750万ドルのプロジェクトを指揮し,初期の資金で240万ドルを調達している. The University of Michigan leads a $7.5 million project to develop heat-resistant silicon carbide (SiC) semiconductors, with initial funding of $2.4 million. この取り組みの目的は、 NASAの技術を拡大し、SICチップ設計を航空宇宙,防衛,再生可能エネルギー,電気自動車などにおけるアプリケーションをよりアクセス可能かつ進歩させること. The initiative aims to scale up NASA's technology, making SiC chip design more accessible and advancing applications in aerospace, defense, renewable energy, and electric vehicles. キーパートナーは NASA, GE航空宇宙ステーション,オザーク統合回路,ウルフスピードなどを含む. Key partners include NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits, and Wolfspeed.