ROHMとTSMCのパートナーは,電気自動車のためのGAN電源装置の開発を行い,先進製品の製造を促進している. ROHM and TSMC partner to develop GaN power devices for electric vehicles, leveraging advanced manufacturing.

ROHMとTSMCは,電動自動車のためのガリウム・ニチブ(GAN)電源装置の開発の連携を図った. ROHM and TSMC have formed a partnership to develop gallium nitride (GaN) power devices for electric vehicles. GANはシリコンよりも高性能で高性能な特性を提供している。 シリコンは、充電器やインバーターなどのEVコンポーネントのキーとなる。 GaN offers better high-voltage and high-frequency properties than silicon, which is key for EV components like chargers and inverters. このコラボは、ROHMのデバイス技術とTSMCのGAN製造プロセスとを併せて,農業部門におけるGANの養子縁組の促進を目指す. This collaboration combines ROHM's device technology with TSMC's GaN manufacturing process, aiming to boost GaN's adoption in the automotive sector.