2024 IEDM:キオシアはOCTRAM,高容量クロスポイントMRAM,および高度な3Dフラッシュメモリを展示した. 2024 IEDM: Kioxia showcases OCTRAM, high-capacity Crosspoint MRAM, and advanced 3D flash memory.

キオキア社は,サンフランシスコで開催されるIEEE国際電子機器会議 (IEDM) 2024で最新の半導体メモリ技術を発表します. Kioxia Corporation will present its latest semiconductor memory technologies at the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 in San Francisco. 主要なイノベーションには,電力消費を削減するための酸化半導体チャネルトランジスタDRAM (OCTRAM),強化されたAI処理のための高容量クロスポイントMRAM,および信頼性とパフォーマンスを向上させるための高度な3Dフラッシュメモリが含まれます. Key innovations include Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) for reduced power consumption, high-capacity Crosspoint MRAM for enhanced AI processing, and advanced 3D flash memory for improved reliability and performance. デジタルトランスフォーメーションとAIをサポートするためにデータストレージの進歩を推進することを目指しています. Kioxia aims to drive advancements in data storage to support digital transformation and AI.