インドでは,RIR パワーエレクトロニクスによってオディシャで初のSiC製造施設を設立し, 620億ルピーを投資し,500人の雇用を創出しました. India establishes first SiC manufacturing facility in Odisha by RIR Power Electronics, investing Rs 620 crores and creating 500 jobs.

インドは,オディシャで初のシリコンカーバイド (SiC) 製造施設を設立し,その先駆けとなるのはRIR パワーエレクトロニクス株式会社です. India is establishing its first Silicon Carbide (SiC) manufacturing facility in Odisha, spearheaded by RIR Power Electronics Ltd. このプロジェクトでは約620億ルピーの投資があり,500以上の雇用を創出し,地元の半導体産業を拡大することを目指しています. The project, with an investment of about Rs 620 crores, aims to create over 500 jobs and enhance the local semiconductor industry. この取り組みは,半導体生産で自立するというインドの目標と一致し,この地域の経済成長とイノベーションを刺激すると期待されています. This initiative aligns with India's goal of becoming self-reliant in semiconductor production and is expected to spur economic growth and innovation in the region.